[18a-WL2_401-1~11] 3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[18a-WL2_401-6] Si含有量制御によるSiN導波路の不揮発・可逆位相シフトの増大

〇(D)小笠原 颯平^1,2、前神 有里子¹、Cong Guangwei¹、高 磊¹、成島 利弘¹、土澤 泰¹、河島 整¹、山本 宗継¹、小野 円佳²、山田 浩治¹ (1.産総研、2.東北大院工)

キーワード：

SiN、位相シフタ