講演情報
[18p-M_178-1]室温プラズマプロセスによる単層MoSe2のセレン欠陥修復とその場電気測定
〇(M1)澤崎 滉樹1、林 靖彦1、鈴木 弘朗1 (1.岡大院環境生命自然)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、セレン欠陥修復、プラズマ処理
近年，次世代半導体材料として遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）が注目されているが，CVD合成したTMDCにはカルコゲン欠陥が生じ，物性劣化の要因となる．本研究では，室温でプラズマを用いた単層MoSe2のセレン欠陥修復を検討した．セレンを導入した水素プラズマ処理により，欠陥由来のラマンDピーク強度が減少し，欠陥修復が示唆された．さらに，その場電気測定により，プラズマ処理による電気特性変調についても報告する．