講演情報
[18p-M_178-3]摩擦力顕微鏡原子分解能観察によるMOCVD-MoS2成膜過程のS欠陥定量評価
〇松本 昂征1、西村 知紀1、金橋 魁利1、佐久間 芳樹2、⾧汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.NIMS)
キーワード：
MOCVD、欠陥、LFM
従来TMDCの原子スケール分析に広く用いられてきたTEM・STM・導電性AFMは，いずれも絶縁性基板であるサファイアからの物理的転写を必須とし，成膜直後のウエハー評価は困難である．本研究では，絶縁性基板上にMOCVD成膜された単層MoS2の摩擦力顕微鏡原子分解能観察によって，最表面のS空孔の高精度定量分析を実証する．さらに，結晶成長過程と空孔導入の関係性を理解する．