講演情報
[18p-M_178-4]加熱環境光電子分光計測による単層MoS2/サファイア界面の基板温度依存性の検討
〇長田 貴弘1、佐久間 芳樹1、小畠 雅明2、福田 竜生2、張 睿騰3、渥美 圭脩3、西村 知紀3、金橋 魁利3、長汐 晃輔3 (1.NIMS、2.原子力機構、3.東大院工)
キーワード：
二硫化モリブデン、硬X線光電子分光、界面
直接成長MoS2/サファイア基板のトップゲートトランジスタでoffを得るためには吸着成分等を除去するウェットプロセスが必要であった。これに対し、真空中昇温脱離過程をX線光電子分光法で評価した結果、400℃でMoS2の分解を抑制しドライプロセスで電子注入を除去可能であることを示した。本報告では、MoS2の成膜温度が異なる試料を比較した結果、脱離する成分と界面構造変化に差がみられたので報告する。