[18p-M_B104-1~8] 12.4 有機EL・トランジスタ・フレキシブルデバイス

15:30 〜 15:45

[18p-M_B104-8] 逆構造型QD-有機ハイブリッドLEDの低電圧動作と高性能化に向けた検討

〇伊東 栄次¹、皆川 祐毅¹、増井 理貴¹ (1.信州大工)

キーワード：

量子ドット、高分子、メニスカスコート

本研究では電子注入層，コアシェル型のコロイダル量子ドットおよび2段の正孔輸送層と正孔注入層を積層したハイブリッドLEDを作製した。QD層までは塗布プロセスを用いて積層し,その上にポリビニルカルバゾールとTFBまたはTCTA/α-NPDを積層し，上部電極としてHAT-CN/AlまたはMoO3/Ag (or Al)を蒸着した素子の高性能化を検討した。電子注入層と正孔注入層を変えて動作電圧を大幅に低減し、緑色QDにおいて3.4Vで1000cd/m2を得た。