講演情報
[18p-S2_201-4]Mn4−xZnxN薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
〇小林 蓮1、安田 智裕1、旗手 蒼1、曽布川 優樹1、秋田 宗志1、雨宮 健太2、末益 崇1 (1.筑波大、2.高エネ研)
キーワード：
Mn、磁化補償、X線磁気円二色性
Mn₄₋ₓZnₓN薄膜（x = 0–0.6）を分子線エピタキシー法によりSrTiO₃(001)基板上に作製し、結晶性および磁気特性を評価した。XRDおよびRHEED測定より、全試料で(001)配向のエピタキシャル成長を確認した。異常ホール効果測定ではx = 0.1と0.6の間でループの符号反転が観測され、磁化補償の存在が示唆された。