[18p-S2_202-1~10] KS.2 量子情報工学研究会

16:30 〜 16:45

[18p-S2_202-10] C-planeサファイア基板上TiN薄膜共振器の作製・評価

〇美馬 覚¹、寺井 弘高¹、高木 佳寿代¹、三木 茂人¹ (1.情通機構)

キーワード：

超伝導体、超伝導量子ビット

超伝導量子ビットでは、材料由来の損失低減が重要である。本研究では、基板誘電損失の低減を目的として、C‑plane サファイア基板上に TiN 薄膜共振器を作製し、単一光子レベルで特性評価を行った。X 線回折により TiN のエピタキシャル成長と面内ドメイン構造を確認した。希釈冷凍機での測定の結果を基に、C‑plane サファイア基板のTiN薄膜共振器の特性について議論する。