[18p-S4_201-1~11] 3.6 レーザープロセシング

15:15 〜 15:30

[18p-S4_201-6] KrFエキシマレーザーアニーリングにおける深さ温度制御

〇片山 慶太^1,2、劉 一帆¹、植月 信之介¹、薮田 久人^1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)

キーワード：

レーザーアニーリング、レーザードーピング、KrFエキシマレーザー

KrFエキシマレーザーレーザーを用いたレーザーアニーリングでは表面の限定的な加熱が特徴の一つである。高い繰り返し周波数を用いることは熱履歴を残した状態で次のパルスが照射されより単純なレーザー照射よりも加熱時間が長く効果的になる。その上で、熱拡散とパルス制御により表面を選択的に加熱する手法を説明する。