講演情報
[18p-W9_324-10]ナノダイヤモンド中NVセンターを用いたRC-IGBT通電中の局所温度計測
〇渡部 裕貴1、川畑 直之1、清井 明1、鎌田 郁矢2、中島 大夢2、押味 佳裕2、藤原 正澄2 (1.三菱電機(株)、2.岡山大学)
キーワード：
ナノダイヤモンド、NVセンター、RC-IGBT
RC-IGBTは、IGBT領域と還流ダイオード(FWD)領域を１つのチップ内に形成したパワーデバイスである。動作中の局所的な温度上昇を抑制するようにIGBTとFWDはレイアウトされているが、実際の温度分布の高分解能測定は課題であった。本研究では蛍光ナノダイヤモンド(FND)をチップ上に塗布し、RC-IGBT通電中の温度変化を計測した。