[18p-WL2_201-1~13] 3.11 ナノ領域光科学･近接場光学

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[18p-WL2_201-3] 電子線描画ペロブスカイトナノ光源の高集積化

〇(M1)三木 義大¹、池内 みどり²、山下 英博²、斉藤 光² (1.九大総理工、2.九大先導研)

キーワード：

ペロブスカイト、ナノ光源、電子線照射

Cs₄PbBr₆膜への集束電子線照射によるCsPbBr₃ナノ光源生成において，従来法は周辺数100 nmにわたり膜構造が変化する問題があった．そこでCs₄PbBr₆膜をAl膜上に形成し，熱または二次電子に起因した損傷領域の拡大を抑制した．その結果，150 nm間隔のナノ光源配列の形成が明瞭に確認された．本手法は，電子線による変化を局在化させ，ペロブスカイトナノ光源の高集積化に向けた対策として有効である．