[18p-WL2_301-1~11] 3.8 テラヘルツ全般

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[18p-WL2_301-2] 電流注入グラフェンにおける高次ランダウ準位からのテラヘルツ発光 (N = 2→1)

〇稲村 文行¹、生田 昂¹、前橋 兼三¹、生嶋 健司¹ (1.農工大院工)

キーワード：

ランダウ準位、テラヘルツ光、グラフェン

グラフェンの非等間隔ランダウ準位はAuger散乱を抑制し、磁場可変テラヘルツ光源として期待されている。本研究は単層グラフェンの高次遷移N=±2→±1に注目し、電流注入によるホットスポット発光を検出し、非平衡キャリア動態を解明する。B=8TでΔE₂₁≈48meVに対応する26µm光を電荷感度型フォトトランジスタで測定し、N=1→0発光との違いを議論する。