講演情報
[18p-WL2_301-4]InPバリア層を有する格子ゲートInGaAsチャネルHEMTベースTHzプラズモニック・ディテクタ
〇永津 将希1,2、吉仲 翔1,3、瀧田 佑馬4、南出 泰亜4、林 宗澤1、佐藤 昭1 (1.東北大通研、2.東北大大学院工、3.東北大工、4.理研RAP)
キーワード:
半導体、HEMT、テラヘルツ検出器
Beyond 5G向け室温動作THz検出器の感度向上を目的に、InPバリア層を用いたInGaAs-HEMTを開発した。1.0 THz帯での検出動作を確認したが、出力は想定を下回った。I-V特性のフィッティングから、出力の低下は熱電子放出よりもトンネル電流が支配的になったことに起因することを明らかにした。今後はさらなるバンドオフセットの低減を図ることで、感度向上が期待される。
