[18p-WL2_301-1~11] 3.8 テラヘルツ全般

15:45 〜 16:00

[18p-WL2_301-9] Ge系ペロブスカイト型強誘電半導体単結晶からの光整流効果による高効率テラヘルツ波発生

〇五月女 真人¹、羽賀 和輝¹、近藤 高志^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

キーワード：

テラヘルツ波発生、光整流効果、Ge系ハライドペロブスカイト

Ge系ペロブスカイト型強誘電半導体AGeI₃（A＝CH₃NH₃, CH(NH₂)₂）単結晶を水熱合成法により作製し，光整流効果によるテラヘルツ波発生特性を調べた。1560nmフェムト秒レーザー励起により0–4 THzの広帯域テラヘルツ波放射を観測し，その振幅は同条件のZnTe結晶を上回った。また，強誘電体では発生するTHz波の振幅が電気分極の方向に依存性する性質を利用した測定から，100 µm程度の強誘電ドメイン構造を可視化した。