[J012] 電子情報機器，電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1)

10:15 〜 10:30

[J012-06] パワー半導体材料SiCとGaAsの高温動作特性に関する初期研究

〇池田 浩輔¹、土屋 寛太朗¹、内田 ヘルムート貴大¹ (1. 東海大学)

キーワード：

パワー半導体、炭化ケイ素、ガリウムヒ素