[C-10] 電子デバイス

10:45 〜 11:00

[C-10-03] 順方向バイアスダイオードを用いた広周波数範囲・高出力Colpitts-Clapp VCO

〇河原 聡¹、竹谷 勉¹、徐 照男¹、脇田 斉¹、長谷 宗彦¹、武藤 美和¹、白鳥 悠太¹、高橋 宏行¹ (1. NTT株式会社　先端集積デバイス研究所)

キーワード：

電圧制御発振器、InP-HBT、ミリ波集積回路