セッション詳細
[C-10]電子デバイス
2025年9月10日(水) 10:00 〜 12:15
工学部1号館3階 第7講義室(岡山大学)
座長:小山 政俊(大阪工業大学)、吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション（株）)
[C-10-01]（依頼講演30分）光通信に向けたInP HBTによる超広帯域アナログマルチプレクサ
〇長谷 宗彦1、脇田 斉1、白鳥 悠太1 (1. NTT株式会社)
[C-10-02]ウェハレベルパッケージプロセスによるInP 系ヘテロ接合バイポーラトランジスタの放熱性・電気的特性への影響評価
〇荒木 友輔1、白鳥 悠太1、中島 史人1 (1. NTT株式会社)
[C-10-03]順方向バイアスダイオードを用いた広周波数範囲・高出力Colpitts-Clapp VCO
〇河原 聡1、竹谷 勉1、徐 照男1、脇田 斉1、長谷 宗彦1、武藤 美和1、白鳥 悠太1、高橋 宏行1 (1. NTT株式会社 先端集積デバイス研究所)
[C-10-04]アナログ電子アメーバ大規模化のための仮足ユニット設計
〇長澤 柊1、葛西 誠也1 (1. 北大)
休憩時間
[C-10-05]SOI構造を用いた湾曲CMOSイメージセンサのカラー化
〇後藤 正英1、為村 成亨1、佐藤 弘人1 (1. NHK)
[C-10-06]半導体ソフトエラーのための宇宙地上統一環境モデルの可能性
◎山藤 涼矢1、小林 大輔1,2 (1. 東大院工電気系、2. JAXA宇宙研)
[C-10-07]極薄 Si 層のゼーベック係数に与える表面ラフネスの効果
〇池田 浩也1、吉森 優大1、布目 有希乃1、ホティマトゥル ファウジア2、ファイズ サレ3、濱﨑 拡1 (1. 静岡大、2. インドネシア国立研究革新庁、3. マラヤ大)