[14a-K101-1~10] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

9:45 AM - 10:15 AM JST(12:45 AM - 1:15 AM UTC)

[14a-K101-3] [The 16th Silicon Technology Division Paper Award Speech] Origin of Low-Frequency Noise in Si n-MOSFET at Cryogenic Temperatures: The Effect of Interface Quality

〇Hiroshi Oka¹, Takumi Inaba¹, Shunsuke Shitakata^1,2, Kimihiko Kato¹, Shota Iizuka¹, Hidehiro Asai¹, Hiroshi Fuketa¹, Takahiro Mori¹ (1.AIST, 2.Keio Univ.)

Keywords:

Quantum computer,Si qubit,Noise

シリコン量子コンピュータの高性能化には、基本素子であるシリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間の改善が必要である。シリコンスピン量子ビットにおいて、磁気ノイズ排除下でのコヒーレンス時間は電荷ノイズによって制限されることが明らかとなっているが、その物理的な起源は十分に理解されていない。本受賞論文では、シリコンスピン量子ビットの基本構造がMOSFETと同一であることに着目し、極低温下でのMOSFETのドレイン電流揺らぎの解析を通して、コヒーレンス時間を制限する電荷ノイズの起源を検証した。