講演情報
[14a-K101-3][第16回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 極低温動作Si n-MOSFETにおける低周波ノイズの起源：絶縁膜界面の影響
〇岡 博史1、稲葉 工1、下方 駿佑1,2、加藤 公彦1、飯塚 将太1、浅井 栄大1、更田 裕司1、森 貴洋1 (1.産総研、2.慶応大理工)
キーワード：
量子コンピュータ、シリコン量子ビット、ノイズ
シリコン量子コンピュータの高性能化には、基本素子であるシリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間の改善が必要である。シリコンスピン量子ビットにおいて、磁気ノイズ排除下でのコヒーレンス時間は電荷ノイズによって制限されることが明らかとなっているが、その物理的な起源は十分に理解されていない。本受賞論文では、シリコンスピン量子ビットの基本構造がMOSFETと同一であることに着目し、極低温下でのMOSFETのドレイン電流揺らぎの解析を通して、コヒーレンス時間を制限する電荷ノイズの起源を検証した。