[14a-K210-1~9] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[14a-K210-7] Synthesis of SiGe alloy clathrate films with Ge coated Si substrate

〇(M2)Kengo Nishio¹, Himanshu. S Jha¹, Fumitaka Ohashi¹, Tetuji Kume^1,2 (1.GNST. Gifu Univ., 2.FE. Gifu Univ.)

Keywords:

Si clathrate,Thin film,PL

II 型Si クラスレート(Si₁₃₆)は、約1.9 eV の直接ギャップ半導体とされ、Si系半導体材料として、光電変換素子への応用が期待できる。本研究では、Si基板上にGe薄膜を堆積し、SiGe混晶クラスレート薄膜の合成を行った。Ge薄膜がある場合、基板上の大部分にクラスレート膜が合成でき、そこからは微弱だがPLスペクトルが得られている。