講演情報
[14a-K210-7]Si基板上のGe堆積処理によるSiGe混晶クラスレート膜の合成
〇(M2)西尾 健吾1、Jha Himanshu. S1、大橋 史隆1、久米 徹二1,2 (1.岐大院自、2.岐大工)
キーワード：
Siクラスレート、薄膜、PL
II 型Si クラスレート(Si136)は、約1.9 eV の直接ギャップ半導体とされ、Si系半導体材料として、光電変換素子への応用が期待できる。本研究では、Si基板上にGe薄膜を堆積し、SiGe混晶クラスレート薄膜の合成を行った。Ge薄膜がある場合、基板上の大部分にクラスレート膜が合成でき、そこからは微弱だがPLスペクトルが得られている。