[14a-K401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[14a-K401-8] Comparison of electronic states of fluorine and hydrogen termination of a point defect inside gallium nitride crystals

〇(M1)Yuki Fujishiro¹, Tomoe Yayama¹, Takahiro Nagata², Toyohiro Chikyow², Fumiko Akagi¹ (1.Kogakuin Univ., 2.NIMS)

Keywords:

gallium nitride,defect,first-principles calculation

GaNを用いたデバイスでは結晶中の欠陥に起因する性能の低下が問題となっている。これに対して我々は、理論計算を用いて欠陥をフッ素で終端することで不活化するフッ素終端の実現可能性について研究を進めている。本発表では、GaN 結晶内部の窒素空孔をフッ素および水素で終端した場合の電子状態をそれぞれ第一原理計算により解析し、比較を行った結果について報告する。