講演情報
[14a-K401-8]窒化ガリウム結晶内部の点欠陥に対するフッ素終端と水素終端の電子状態の比較
〇(M1)藤代 裕貴1、屋山 巴1、長田 貴弘2、知京 豊裕2、赤城 文子1 (1.工学院大、2.NIMS)
キーワード：
窒化ガリウム、欠陥、第一原理計算
GaNを用いたデバイスでは結晶中の欠陥に起因する性能の低下が問題となっている。これに対して我々は、理論計算を用いて欠陥をフッ素で終端することで不活化するフッ素終端の実現可能性について研究を進めている。本発表では、GaN 結晶内部の窒素空孔をフッ素および水素で終端した場合の電子状態をそれぞれ第一原理計算により解析し、比較を行った結果について報告する。