[14a-K401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[14a-K401-9] Nonradiative relaxation process of the careers to acceptor level in hole-doped GaN by carbon substitution

〇Tomoe Yayama¹, Yoshiyuki Miyamoto² (1.Kogakuin Univ., 2.AIST)

Keywords:

group-III nitrides,Time-dependent density functional theory,Electronic states

窒化ガリウムのp型化において異種元素のドープは必須であるが、ドーパントは置換型欠陥でもあるため、キャリアの散乱体として量子効率を低下させる要因ともなる。本研究では、ドーパントによる電子散乱の影響を定量的に評価するために、時間依存密度汎関数理論に基づいて電子状態の解析を行った。ホール励起状態を初期状態として電子状態の時間発展を計算したところ、有限時間の内に、ホールがアクセプタ準位に捕獲される結果が得られた。