講演情報
[14a-K401-9]炭素置換によりホールドープしたGaNにおけるキャリアのアクセプタ準位への無輻射緩和過程
〇屋山 巴1、宮本 良之2 (1.工学院大、2.産総研)
キーワード：
III族窒化物半導体、時間依存密度汎関数理論(TDDFT)、電子状態
窒化ガリウムのp型化において異種元素のドープは必須であるが、ドーパントは置換型欠陥でもあるため、キャリアの散乱体として量子効率を低下させる要因ともなる。本研究では、ドーパントによる電子散乱の影響を定量的に評価するために、時間依存密度汎関数理論に基づいて電子状態の解析を行った。ホール励起状態を初期状態として電子状態の時間発展を計算したところ、有限時間の内に、ホールがアクセプタ準位に捕獲される結果が得られた。