[14p-K210-1~9] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[14p-K210-1] [The 57th Young Scientist Presentation Award Speech] Epitaxial growth of AgBa₂Si₃ films for thermoelectric applications and search for low temperature deposition conditions

〇Kimimaru Kajihara¹, Takamitsu Ishiyama¹, Kaoru Toko¹, Yoichiro Koda², Masami Mesuda², Shuta Honda³, Takashi Suemasu¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.Tosoh Corporation, 3.Kansai Univ.)

Keywords:

thermoelectric generation,epitaxial growth,environmentally friendly materials

AgBa₂Si₃は組成比に応じた伝導型変調が報告されており、50 ℃においてp型伝導を示したバルク試料については無次元性能指数ZT ＝ 0.52という、環境調和型材料として突出した性能が報告されている。前回の秋応物において、我々はAgBa₂Si₃膜の成膜及び熱電特性評価に初めて成功し、エピタキシャル成長にも成功したことを報告した。今回は新たに低温成膜を目指し成膜条件の探索及び、熱電特性評価を試みた。