[14p-K210-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

13:30 〜 13:45

[14p-K210-1] [第57回講演奨励賞受賞記念講演] 熱電応用に向けた AgBa₂Si₃膜のエピタキシャル成長と低温成膜条件の探索

〇梶原 君円¹、石山 隆光¹、都甲 薫¹、幸田 陽一朗²、召田 雅実²、本多 周太³、末益 崇¹ (1.筑波大院、2.東ソー株式会社、3.関西大学)

キーワード：

熱電発電、エピタキシャル成長、環境調和型材料

AgBa₂Si₃は組成比に応じた伝導型変調が報告されており、50 ℃においてp型伝導を示したバルク試料については無次元性能指数ZT ＝ 0.52という、環境調和型材料として突出した性能が報告されている。前回の秋応物において、我々はAgBa₂Si₃膜の成膜及び熱電特性評価に初めて成功し、エピタキシャル成長にも成功したことを報告した。今回は新たに低温成膜を目指し成膜条件の探索及び、熱電特性評価を試みた。