[14p-K402-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[14p-K402-4] Lifetime mapping and decay curve analysis around defects on 4H-SiC wafer using µ-PCD measurement

〇Takumi Wakabayashi¹, Kazushi Hayashi², Hideo Fujii², Takayuki Hirano³, Naoki Okano³, Junji Senzaki¹ (1.AIST, 2.Kobe Steel, LTD., 3.Kobelco Res. Inst.)

Keywords:

semiconductor,SiC,carrier lifetime

エピ膜を含む4H-SiC基板について、µ-PCD法による評価を行い、欠陥箇所でライフタイムの減少を確認した。また、減衰曲線の振る舞いが欠陥種類によって異なることが確認され、減衰曲線およびライフタイムが、欠陥箇所の特定と識別に活用できる可能性があることが得られた。