講演情報
[14p-K402-4]µ-PCD法による4H-SiCウェハ欠陥周辺のライフタイムマッピングおよび減衰曲線の解析
〇若林 琢巳1、林 和志2、藤井 秀夫2、平野 貴之3、岡野 直樹3、先崎 純寿1 (1.産総研、2.神戸製鋼、3.コベルコ科研)
キーワード：
半導体、シリコンカーバイド、キャリアライフタイム
エピ膜を含む4H-SiC基板について、µ-PCD法による評価を行い、欠陥箇所でライフタイムの減少を確認した。また、減衰曲線の振る舞いが欠陥種類によって異なることが確認され、減衰曲線およびライフタイムが、欠陥箇所の特定と識別に活用できる可能性があることが得られた。