[14p-K402-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[14p-K402-7] Analysis of solvent inclusion and impurity concentration distribution in solution growth of p-type 4H-SiC

〇Takahiro Ito¹, Kentaro Kutsukake^1,2, Shunta Harada^1,2, Toru Ujihara^1,2 (1.Grad. Sch. Eng., Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ.)

Keywords:

silicon carbide,crystal growth,solvent inclusion

4H-SiCの溶液成長法は、低転位密度の高品質な結晶が得られる。一方で、成長中の結晶に溶媒が取り込まれる「溶媒インクルージョン」を生じるという課題がある。これまで主に結晶表面の観察による溶媒インクルージョンの評価が行われてきたが、近年の大口径化、長尺化に伴い、結晶内部の溶媒インクルージョンについても評価が求められている。本研究では結晶内部の溶媒インクルージョンと結晶の不純物濃度について分析した。