講演情報
[14p-K402-7]P型4H-SiC溶液成長法における溶媒インクルージョンおよび結晶の不純物濃度分布の形成要因の分析
〇伊藤 貴洋1、沓掛 健太朗1,2、原田 俊太1,2、宇治原 徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
キーワード：
炭化ケイ素、結晶成長、溶媒インクルージョン
4H-SiCの溶液成長法は、低転位密度の高品質な結晶が得られる。一方で、成長中の結晶に溶媒が取り込まれる「溶媒インクルージョン」を生じるという課題がある。これまで主に結晶表面の観察による溶媒インクルージョンの評価が行われてきたが、近年の大口径化、長尺化に伴い、結晶内部の溶媒インクルージョンについても評価が求められている。本研究では結晶内部の溶媒インクルージョンと結晶の不純物濃度について分析した。