[14p-K402-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[14p-K402-9] Conduction Carriers in Nearest-Neighbor Hopping (NNH) Conduction in Al-Doped 4H-SiC~New Conduction Mechanism Model for NNH Conduction~

〇Tomoya Narita¹, Mitsuhide Iwatsuki¹, Atsuki Hidaka¹, Hideharu Matsuura¹, Shiyang Ji², Kazuma Eto², Kazuaki Kojima², Tomohisa Kato², Sadashi Yoshida² (1.Osaka Electro-Communication Univ, 2.AIST)

Keywords:

Highly Al-doped 4H-SiC,Nearest-Neighbor Hopping (NNH) Conduction,Conduction Carrier

Al濃度が10¹⁹ cm^-3以上の高濃度Alドープp型4H-SiC試料において、p型半導体にもかかわらず、低温領域でホール係数が負になることが報告されている。ここでは、ホール係数が負になることを明らかにするために、低温領域で現れる最近接ホッピング伝導に寄与する伝導キャリアに関して考察する。最近接ホッピング伝導では、ドーパント準位で少ない方のキャリアが伝導に寄与する伝導機構モデルを提案する。