講演情報
[14p-K402-9]Alドープ4H-SiC中の最近接ホッピング(NNH)の伝導キャリア～新しいNNH伝導機構モデルの提案～
〇成田 智哉1、岩槻 光栄1、日髙 淳輝1、松浦 秀治1、紀世 陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2 (1.大阪電気通信大学、2.産総研)
キーワード：
高濃度Alドープ4H-SiC、最近接ホッピング（NNH）伝導、伝導キャリア
Al濃度が1019 cm-3以上の高濃度Alドープp型4H-SiC試料において、p型半導体にもかかわらず、低温領域でホール係数が負になることが報告されている。ここでは、ホール係数が負になることを明らかにするために、低温領域で現れる最近接ホッピング伝導に寄与する伝導キャリアに関して考察する。最近接ホッピング伝導では、ドーパント準位で少ない方のキャリアが伝導に寄与する伝導機構モデルを提案する。