[14p-K403-1~13] 6.2 Carbon-based thin films

1:00 PM - 1:15 PM JST(4:00 AM - 4:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[14p-K403-1] 3-inch Ir/Sapphire Substrate for Large-Area Diamond Wafer Growth and
its Misorientation Effect

〇(D)Masahiro Tsuji¹, Yuya Ide¹, Saha Niloy¹, Masanori Eguchi², Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ., 2.Synchrotron Research center, Saga Univ.)

Keywords:

diamond,Substrate for growth,Sapphire

3インチ径のダイヤ成長用Ir/sapphire基板を作製した. 全面が鏡面のIr表面が得られIr(001)//sapphire (11-20)のエピタキシャル関係が確認された. サファイア基板の微傾斜によるIr高品質化の効果が見られた. さらに正方格子のIrが微傾斜の効果により下地のサファイアの長方格子を受け継いでおりダイヤの高品質化につながることが分かった.