講演情報
[14p-K403-1]大口径ダイヤモンド成長用3インチ径Ir/Sapphire基板の作製と
基板の微傾斜効果
〇(D)辻 政裕1、井手 裕也1、サハ ニロイ1、江口 正徳2、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工、2.佐賀大シンクロ)
キーワード：
ダイヤモンド、成長基板、サファイア
3インチ径のダイヤ成長用Ir/sapphire基板を作製した. 全面が鏡面のIr表面が得られIr(001)//sapphire (11-20)のエピタキシャル関係が確認された. サファイア基板の微傾斜によるIr高品質化の効果が見られた. さらに正方格子のIrが微傾斜の効果により下地のサファイアの長方格子を受け継いでおりダイヤの高品質化につながることが分かった.