[14p-K403-1~13] 6.2 Carbon-based thin films

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[14p-K403-3] Formation of Diamond Trench {111} Flat Sidewalls by Thermochemical Etching

〇Masatsugu Nagai¹, Tsubasa Matsumoto², Satoshi Yamasaki², Norio Tokuda², Moriyoshi Haruyama¹, Yukako Kato¹, Hironori Yoshioka¹, Hitoshi Umezawa¹, Hiromitsu Kato¹, Masahiko Ogura¹, Daisuke Takeuchi¹, Yoshiyuki Miyamoto¹, Toshiharu Makino¹ (1.AIST, 2.Kanazawa Univ.)

Keywords:

Diamond,Etching,Nickel

究極の低損失化を達成し得るトレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実現には、{111}側面を備えたダイヤモンドトレンチの形成が必要である。近年我々は、Niと水蒸気を用いた独自の熱化学エッチング技術を開発し、従来技術では困難であった上記トレンチの形成を可能にした。しかし、側面平坦性は不十分であった。本研究では、本技術の温度条件の最適化を通して、十分に（ナノスケールで）平坦な{111}側面の形成に成功した。