講演情報
[14p-K403-3]熱化学エッチングによるダイヤモンドトレンチ{111}平坦側面の形成
〇長井 雅嗣1、松本 翼2、山崎 聡2、徳田 規夫2、春山 盛善1、加藤 有香子1、吉岡 裕典1、梅沢 仁1、加藤 宙光1、小倉 政彦1、竹内 大輔1、宮本 良之1、牧野 俊晴1 (1.産総研、2.金沢大)
キーワード：
ダイヤモンド、エッチング、ニッケル
究極の低損失化を達成し得るトレンチ型反転層チャネルダイヤモンドMOSFETの実現には、{111}側面を備えたダイヤモンドトレンチの形成が必要である。近年我々は、Niと水蒸気を用いた独自の熱化学エッチング技術を開発し、従来技術では困難であった上記トレンチの形成を可能にした。しかし、側面平坦性は不十分であった。本研究では、本技術の温度条件の最適化を通して、十分に（ナノスケールで）平坦な{111}側面の形成に成功した。