[14p-K503-1~17] CS.3 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[14p-K503-14] Investigation of dielectric constant reduction mechanism in ferroelectric Hf_xZr_1-xO₂ MFIS capacitors after electric field application

〇Hiroyuki Matsukawa¹, Zuocheng Cai¹, Zhenhong Liu¹, Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi¹, Kasidit Toprasertpong¹ (1.Univ.Tokyo)

Keywords:

ferrielectrics,dielectric constant

強誘電体Hf_xZr_1-xO₂ (HZO)において強誘電分極に起因する高誘電率化が特徴であり、従来のhigh-k材料よりも高い誘電率をもつことから高容量の電子デバイスへの活用が検討されている。HZO膜は特定の電界付近において特に高い誘電率を示すが、電界依存性の振る舞いの理解が不十分である。本研究は、HZO膜を用いたMFISキャパシタにおいて、大電界が印加された場合の誘電率が低下する振る舞いを調べたので報告する。