[14p-K503-1~17] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

16:45 〜 17:00

[14p-K503-14] 強誘電体Hf_xZr_1-xO₂ MFISキャパシタの電界印加による誘電率低下機構の考察

〇松川 浩之¹、蔡 作成¹、劉 振泓¹、竹中 充¹、高木 信一¹、トープラサートポン カシディット¹ (1.東京大学)

キーワード：

強誘電体、誘電率

強誘電体Hf_xZr_1-xO₂ (HZO)において強誘電分極に起因する高誘電率化が特徴であり、従来のhigh-k材料よりも高い誘電率をもつことから高容量の電子デバイスへの活用が検討されている。HZO膜は特定の電界付近において特に高い誘電率を示すが、電界依存性の振る舞いの理解が不十分である。本研究は、HZO膜を用いたMFISキャパシタにおいて、大電界が印加された場合の誘電率が低下する振る舞いを調べたので報告する。