[14p-K503-1~17] CS.3 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[14p-K503-3] Important role of topmost ZrO₂ layer on crystallization of HfO₂/ZrO₂ nanolaminate thin films

〇Rina Takahisa¹, Takashi Onaya², Koji Kita^1,2 (1.School of Eng., The Univ. of Tokyo, 2.GSFS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:

atomic layer deposition,HfO2-based ferroelectric thin film,nanolaminate thin film

Hf_xZr_1-xO₂ (HZO)薄膜の強誘電相は準安定な直方晶(O)相であると考えられている。また，原子層堆積(ALD)法によりHfO₂とZrO₂層を交互に成膜したHfO₂/ZrO₂ナノラミネート膜において，各層の膜厚や成膜順序，界面・表面の構造がO相の出現に重要な役割を有する可能性が報告されているが，どの因子が支配的か十分に明らかになっていない。本研究では，HfO₂/ZrO₂ナノラミネート膜の界面・表面の役割を明確化することを目的とし，最表面ZrO₂層の重要な役割を解明した。