[14p-K503-1~17] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[14p-K503-3] HfO₂/ZrO₂ナノラミネート薄膜の結晶化過程におけるZrO₂最表面層の重要な役割

〇高久 理名¹、女屋 崇²、喜多 浩之^1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)

キーワード：

原子層堆積法、HfO2系強誘電体薄膜、ナノラミネート薄膜

Hf_xZr_1-xO₂ (HZO)薄膜の強誘電相は準安定な直方晶(O)相であると考えられている。また，原子層堆積(ALD)法によりHfO₂とZrO₂層を交互に成膜したHfO₂/ZrO₂ナノラミネート膜において，各層の膜厚や成膜順序，界面・表面の構造がO相の出現に重要な役割を有する可能性が報告されているが，どの因子が支配的か十分に明らかになっていない。本研究では，HfO₂/ZrO₂ナノラミネート膜の界面・表面の役割を明確化することを目的とし，最表面ZrO₂層の重要な役割を解明した。