[14p-K503-1~17] CS.3 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[14p-K503-8] Effects of stacking structures of ferroelectric Al:HfO₂ thin films on electrical properties

〇Hideaki Tanimura^1,2, Tomoya Mifune¹, Yuma Ueno², Yusuke Tani², Hironori Fujisawa¹, Seiji Nakashima¹, Ai I. Osaka¹, Shinichi Kato², Takumi Mikawa² (1.University of Hyogo, 2.SCREEN)

Keywords:

HfO2,Ferroelectric material,Flash lamp annealing

強誘電性Al:HfO₂ (HAO)薄膜の成膜には、HfO₂とAlO_xの交互積層が広く利用されている。本研究では、積層フローの異なるHAO膜を成膜し、電気特性に与える影響について調べた。