[14p-K503-1~17] CS.3 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

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[14p-K503-8] 強誘電性Al:HfO₂薄膜の積層構造が電気特性に与える影響

〇谷村 英昭^1,2、三船 智哉¹、植野 雄守²、谷 勇佑²、藤沢 浩訓¹、中嶋 誠二¹、大坂 藍¹、加藤 慎一²、三河 巧² (1.兵庫県大、2.SCREEN)

キーワード：

HfO2、強誘電体、フラッシュランプアニール

強誘電性Al:HfO₂ (HAO)薄膜の成膜には、HfO₂とAlO_xの交互積層が広く利用されている。本研究では、積層フローの異なるHAO膜を成膜し、電気特性に与える影響について調べた。