[14p-P02-1~20] 6.4 Thin films and New materials

[14p-P02-11] Growth of hexagonal ZnSnN₂ layer by UHV sputter epitaxy method (IV)

〇Kaito Horikoshi¹, Toshiki Nagasawa¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:

semiconductor,sputter

昨今の半導体需要の拡大により, 新材料を用いた半導体デバイスの開発が進められている. そこで, GaNやInNなどのIII族窒化物半導体の代替材料として, II-IV-N₂族半導体の1つであるZnSnN₂が関心を集めている.
我々はこれまで, 超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて, c面サファイア基板上へZnSnN₂層の成長を行ってきた. 今回は, 成長時のガス圧力を変化させてZnSnN₂層の成長を行い, 結晶性等について検討を行ったので報告する.