[14p-P02-1~20] 6.4 薄膜新材料

[14p-P02-11] UHVスパッタエピタキシー法による六方晶ZnSnN₂層の成長（IV）

〇堀越 快人¹、長澤 俊輝¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：

半導体、スパッタ

昨今の半導体需要の拡大により, 新材料を用いた半導体デバイスの開発が進められている. そこで, GaNやInNなどのIII族窒化物半導体の代替材料として, II-IV-N₂族半導体の1つであるZnSnN₂が関心を集めている.
我々はこれまで, 超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて, c面サファイア基板上へZnSnN₂層の成長を行ってきた. 今回は, 成長時のガス圧力を変化させてZnSnN₂層の成長を行い, 結晶性等について検討を行ったので報告する.