[14p-P02-1~20] 6.4 Thin films and New materials

[14p-P02-13] High temperature annealing property in Cerium-Doped hydrogenated In₂O₃(ICO:H)

〇Koya Kudo^1,2, Chia-Tsong Chen¹, Tatsuro Maeda¹ (1.AIST., 2.Chiba Univ.)

Keywords:

Transparent Conductive Oxide,Cerium-Doped hydrogenated Indium Oxide

本研究ではCeドープ水素化酸化インジウム(ICO:H)の低抵抗電極としての応用を目指して、スパッタ成膜条件の最適化と高温アニール(400 ℃)時の導電性劣化を抑制する条件について検討した。半導体デバイスにおける低抵抗電極としての応用を実現する上で、高温アニール時の熱耐性は重要な課題である。