[14p-P02-1~20] 6.4 薄膜新材料

[14p-P02-13] Ceドープ水素化酸化インジウム(ICO:H)薄膜の高温アニール特性

〇工藤 晃哉^1,2、陳 家驄¹、前田 辰郎¹ (1.産総研、2.千葉大学)

キーワード：

透明導電性酸化物、セリウムドープ水素化酸化インジウム

本研究ではCeドープ水素化酸化インジウム(ICO:H)の低抵抗電極としての応用を目指して、スパッタ成膜条件の最適化と高温アニール(400 ℃)時の導電性劣化を抑制する条件について検討した。半導体デバイスにおける低抵抗電極としての応用を実現する上で、高温アニール時の熱耐性は重要な課題である。