[14p-P02-1~20] 6.4 Thin films and New materials

[14p-P02-8] Improvement of Thermal Stability of Sb₃Te by N Doping for High Performance of Phase Change Device

〇(M1)Shota Yoshimoto¹, Shunsuke Yahagi¹, Mutsumi Miuchi¹, You Yin¹ (1.Gunma Univ.)

Keywords:

Phase-Change Material,Artificial Synaptic Device

本研究では相変化デバイスの高性能化 （熱安定性向上等）を目的とし、従来の相変化材料 Sb₃Te の特性向上のため、N ドーピングによる活性化エネルギー、結晶構造、抵抗率変化および結晶化温度を検討した。