[14p-P02-1~20] 6.4 薄膜新材料

[14p-P02-8] 相変化デバイス高性能化のためのN添加によるSb₃Te相変化材料の熱安定性向上

〇(M1)吉本 匠汰¹、矢矧 俊祐¹、美内 睦美¹、尹 友¹ (1.群馬大理工)

キーワード：

相変化材料、人工シナプス素子

本研究では相変化デバイスの高性能化 （熱安定性向上等）を目的とし、従来の相変化材料 Sb₃Te の特性向上のため、N ドーピングによる活性化エネルギー、結晶構造、抵抗率変化および結晶化温度を検討した。