[14p-P02-1~20] 6.4 Thin films and New materials

[14p-P02-9] O-doped GeTe/Sb₂Te₃ Multilayer Phase-Change Material

〇Mutsumi Miuchi¹, Kazuki Matsuda¹, Shota Yoshimoto¹, Eiji Sawai¹, You Yin¹ (1.Gunma Univ.)

Keywords:

Artificial synapse,Multi-level storage,GeTe/Sb2Te3 Multi-layer PCM

近年注目される脳型システムの人工シナプス材料として従来のGeTeやSb₂Te₃には低熱安定性・抵抗率変化が緩やかか突然かであり高密度ストレージ用の多値記録実現やシナプス強度模倣には不適という課題がある。本研究では高熱安定性を持つOドープGeTe/ Sb₂Te₃多層膜シート抵抗測定用試料とXRD回析用試料を作製し体系的に調査し、その結果、多層膜として材料特性を組合わせることで抵抗変化を制御でき人工シナプスの性能向上が可能であると示された。