[14p-P02-1~20] 6.4 薄膜新材料

[14p-P02-9] OドープGeTe/Sb₂Te₃多層膜相変化材料の開発

〇美内 睦美¹、松田 和希¹、吉本 匠汰¹、澤井 英志¹、尹 友¹ (1.群馬大)

キーワード：

人工シナプス、多値記録、GeTe/Sb2Te3多層膜

近年注目される脳型システムの人工シナプス材料として従来のGeTeやSb₂Te₃には低熱安定性・抵抗率変化が緩やかか突然かであり高密度ストレージ用の多値記録実現やシナプス強度模倣には不適という課題がある。本研究では高熱安定性を持つOドープGeTe/ Sb₂Te₃多層膜シート抵抗測定用試料とXRD回析用試料を作製し体系的に調査し、その結果、多層膜として材料特性を組合わせることで抵抗変化を制御でき人工シナプスの性能向上が可能であると示された。